受益于AI驱动的先进逻辑与存储芯片扩产潮，ASML在三季度交出创纪录业绩，并在年内连续三次上调全年业绩指引。财报显示，ASML将2026年全年净销售额指引区间上调至440亿至450亿欧元（约合3403亿至3481亿元人民币），较2025年全年增长约36%。同时，ASML将2026年全年毛利率预期从二季度预估的54%至56%进一步上调至约56%。

2026年第三季度，ASML售出全新光刻系统113台、二手光刻系统8台，较二季度的86台和5台显著增长。同期实现净销售额116.62亿欧元，环比二季度的93.26亿欧元增长25.0%，同比增长55.2%，但小幅低于华尔街分析师平均预期的117.35亿欧元。

由于2026年以来ASML股价累计涨幅较大、动态市盈率已处约30倍高位，市场对ASML财报表现要求近乎苛刻。受三季度营收小幅低于预期影响，当地时间10月14日该公司美股收跌3.94%。

扩产30%仍难解下游市场饥渴

远期订单排至2030年

AI算力基础设施的持续扩张，正在将光刻机供需紧平衡周期大幅拉长。傅恪礼透露，ASML与客户的业务规划讨论目前已延伸至2027年以后，2028年的新增订单出现大幅增加，同时有部分客户就2029年乃至2030年的远期订单展开接洽。

为匹配下游晶圆厂激增的资本开支，ASML正全力推进产能爬坡。傅恪礼介绍，公司2026年产能爬坡执行情况良好，预计全年将交付约65台低数值孔径（Low NA）EUV系统，交付台数较2025年增加超过50%。而在浸润式深紫外光刻机（DUV）方面，市场需求程度同样超出ASML最初的判断，傅恪礼坦言，一年前公司曾预计2026年浸润式DUV交付量会出现明显减少，但受市场需求带动，目前预计全年浸润式DUV交付数量将与2025年大致持平。

值得注意的是，即便ASML此前已规划大幅扩产，未来两年的光刻设备供应依然面临缺口。二季度财报会上，傅恪礼曾宣布计划在2027年和2028年将低NA EUV及浸润式DUV产能各提升约30%。此次他明确表示，按此前规划，2027年和2028年的供应能力仍将难以完全满足客户需求，正研究进一步扩大2028年及以后产能的方案，以实现超过此前公布的30%增幅。

光刻机供不应求的卖方市场格局，也赋予了ASML更强的议价能力。ASML首席财务官戴厚杰（Roger Dassen）透露，ASML目前已与主要客户完成了“提高基于价值定价（value-based pricing）”的沟通，即对部分光刻机产品涨价。

从终端应用领域来看，AI浪潮对底层硬件的拉动正同时体现在逻辑芯片与存储芯片。在逻辑芯片领域，受GPU等高端AI芯片需求推动，晶圆代工客户正加速扩大现有先进制程产能，并推进下一代制程节点爬坡。在存储芯片领域，供不应求的市场格局叠加最新DRAM及HBM制程节点对光刻工序需求的提升，持续推高了存储原厂对EUV与浸润式DUV的采购需求。因此第三季度ASML光刻系统净销售额中，逻辑芯片领域占比为54%，存储芯片领域占比达46%，两大板块呈现齐头并进态势。

在发货目的地的分布上，随着全球先进逻辑芯片与存储芯片厂商持续扩产，中国台湾与韩国继续稳居ASML前两大区域市场。继二季度韩国（43%）与中国台湾（30%）合计贡献逾七成系统营收后，第三季度受台积电先进制程扩产及韩国存储巨头扩产拉动，中国台湾与韩国占系统出货营收比重分别达到32%和31%，美国市场占比则为13%。

中国大陆市场方面，在经历了2024年至2025年因消化积压订单带来的高营收占比（30%以上）后，2026年一季度和二季度中国大陆营收占比曾分别回落至19%和14%，三季度该数字回升至23%。戴厚杰表示，预计2026年全年中国大陆市场业务在ASML总营收中的占比将稳定在20%左右。

盈利方面，ASML第三季度表现大幅超越市场预期。当季实现毛利润67.00亿欧元，毛利率由二季度的54.0%攀升至57.5%；净利润达49.60亿欧元（四舍五入为50亿欧元，约合384亿元人民币），环比二季度的29.18亿欧元激增约70%，大幅高于市场一致预期的41.65亿欧元；基本每股收益（EPS）达12.95欧元，同样显著高于市场预期的10.68欧元。

三巨头竞逐High NA

在全新光刻机交付仍受供应链产能约束的背景下，如何帮助下游晶圆厂客户在短期内快速获取增量产能，成为ASML第三季度业绩超预期的关键。

“除了增加系统交付量，装机售后服务也是帮助客户提升产能的重要方式。”戴厚杰称，通过对现有设备进行升级，客户可在现有产线基础上获得较快增量产能。他表示，该业务目前已取得良好成效，预计未来仍将持续发挥重要作用。ASML正持续推进面向已安装系统的升级方案开发，以帮助客户更快提升产能。

除存量设备改造外，ASML正通过新一代产品路线图大幅拉升单机晶圆吞吐效率。戴厚杰透露，ASML计划于2027年推出新一代Low NA EUV光刻机NXE:3800F，该机型可将生产效率从目前的每小时230片晶圆提升至每小时260片晶圆。在浸润式DUV领域，ASML也计划进一步提升设备性能，使2027年交付的浸润式设备生产效率达到每小时330片晶圆。

值得注意的是，在面向更尖端埃米（1纳米=10埃米）级制程的高数值孔径（High NA）EUV系统方面，本季度也取得重要进展。今年9月，ASML与台积电联合宣布，由双方共同牵头组建行业联盟，推动在2031年前建成12英寸掩膜版试点产线，并计划于2033年实现相关光刻系统对先进制程的全面落地。

傅恪礼透露，台积电已基本确认，将在2030年左右把High NA EUV引入大规模芯片生产。与此同时，另外两大先进制程巨头在High NA领域的步伐更为激进：三星已宣

布将从2028年起在芯片量产中采用High NA系统，而最早引入High NA设备的英特尔，目前已在使用High NA系统进行芯片量产，并正不断增加使用High NA的工艺层数。

随着先进芯片制程微缩与结构复杂化，芯片制造过程中的量测环节亦面临效率瓶颈。“客户为了实现更高的芯片性能，需要进行更频繁、更密集的量测。如果无法像在光刻机领域那样提升量测效率，也会造成产能瓶颈。”傅恪礼表示，为此ASML在套刻精度量测领域推出了最新一代YieldStar 550B设备，在进一步提升测量精度的同时，将设备生产效率大幅提升了60%，从而与高性能光刻机进一步协同提升未来晶圆产能。

傅恪礼强调，在今年剩余时间及2027年的规划中，持续扩大设备产出能力与推进High NA、YieldStar及Low NA效率提升等技术创新，将是ASML同步推进的两大首要任务。